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2SK4016

更新时间： 2024-09-14 03:56:43
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东芝 - TOSHIBA 稳压器开关
页数 文件大小 规格书
6页 212K
描述
Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator Applications

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2SK4016 技术参数

生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：SC-67
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.3
雪崩能效等级（Eas）：1033 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：13 A
最大漏极电流 (ID)：13 A最大漏源导通电阻：0.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK4016 数据手册

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2SK4016  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π−MOS VI)  
2SK4016  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Low drain-source ON-resistance: R  
High forward transfer admittance: |Y | = 10 S (typ.)  
= 0.33 Ω (typ.)  
DS (ON)  
fs  
Low leakage current: I  
= 100 μA (V  
= 600 V)  
DSS  
DS  
DS  
Enhancement model: V = 2.0~4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
600  
600  
±30  
13  
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (t = 1 ms)  
I
52  
50  
DP  
(Note 1)  
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
D
AS  
AR  
Single-pulse avalanche energy  
E
1033  
mJ  
(Note 2)  
Avalanche current  
I
13  
5.0  
A
JEDEC  
JEITA  
―
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
SC-67  
2-10U1B  
Weight : 1.7 g (typ.)  
T
150  
ch  
TOSHIBA  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
2
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
R
2.5  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
62.5  
th (ch-a)  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 10.7 mH, I = 13 A, R = 25 Ω  
V
DD  
1
ch  
AR  
G
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
3
1
2005-05-30  
123456

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