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2SK4019

更新时间： 2024-11-04 03:56:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体转换器稳压器晶体管功率场效应晶体管开关脉冲电机驱动
页数 文件大小 规格书
6页 772K
描述
Silicon N-Channel MOS Type Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications

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2SK4019 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.32Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：180 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A最大漏极电流 (ID)：5 A
最大漏源导通电阻：0.3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK4019 数据手册

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2SK4019  
2
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (L −π−MOS V)  
2SK4019  
Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive  
Applications  
Unit: mm  
０．２  
０．２  
６．５±  
５．２±  
．
０．６ MAX  
z 4 V gate drive  
z Low drain−source ON-resistance  
z High forward transfer admittance  
: R  
= 0.17 Ω (typ.)  
DS (ON)  
０．２  
１．１±  
: |Y | = 4.5 S (typ.)  
fs  
９
０．  
z Low leakage current : I  
= 100 μA (max) (V  
= 100 V)  
MAX  
０．６  
DSS  
DS  
z Enhancement mode : V = 0.8~2.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
３
３
２．  
２．  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
１
２
３
０．１５  
０．６±  
．
０．８ MAX  
Characteristic  
Drain−source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
．
１．1 MAX  
０．１５  
０．６±  
V
100  
100  
±20  
5
V
V
DSS  
Drain−gate voltage (R  
Gate−source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
V
GSS  
JEDEC  
JEITA  
TOSHIBA  
Weight: 0.36 g (typ.)  
⎯
DC (Note 1)  
I
A
D
Drain current  
Pulse (Note 1)  
I
20  
A
⎯
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
Single-pulse avalanche energy  
P
20  
W
D
AS  
AR  
2-7J2B  
E
180  
mJ  
(Note 2)  
Avalanche current  
I
5
2
A
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
ch  
150  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and  
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Max  
6.25  
125  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
R
°C / W  
°C / W  
th (ch−c)  
th (ch−a)  
Thermal resistance, channel to  
ambient  
R
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = 25 V, T = 25°C (initial), L = 11.6 mH, R = 25 Ω, I = 5 A  
AR  
V
DD  
ch  
G
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2006-11-20  
123456

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