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2SK4026

更新时间： 2024-09-15 03:56:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体稳压器开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 210K
描述
Switching Regulator Applications

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2SK4026 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Lifetime Buy包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：56 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 A
最大漏极电流 (ID)：1 A最大漏源导通电阻：9 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：2 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK4026 数据手册

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2SK4026  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS V)  
2SK4026  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
６．５±０．２  
５．２±０．２  
０．６ MAX．  
Features  
•
•
•
•
Low drain-source ON-resistance: R  
= 6.4 Ω(typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 0.85 S (typ.)  
１．１±０．２  
０．６ MAX  
fs  
０．９  
Low leakage current: I  
= 100 μA (max) (V  
= 600 V)  
DSS  
DSS  
Enhancement mode: V = 2.0 to 4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
２．３ ２．３  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
１
２
３
０．６±０．１５  
０．６±０．１５  
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
０．８ MAX．  
１．1 MAX．  
V
600  
600  
±30  
1
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
JEDEC  
―
―
Drain current  
A
Pulse (Note 1)  
I
2
DP  
JEITA  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
20  
W
D
AS  
AR  
TOSHIBA  
2-7J2B  
Single pulse avalanche energy  
E
56  
mJ  
Weight: 0.36 g (typ.)  
(Note 2)  
Avalanche current  
I
1
2
A
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
ch  
150  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and  
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
R
6.25  
125  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
th (ch-a)  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C, L = 100 mH, I = 1 A, R = 25 Ω  
V
DD  
ch  
AR  
G
Note 3: Repetitive rating; pulse width limited by max channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2006-11-08  
123456

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