5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 40 A | 最大漏源导通电阻： | 0.034 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3287 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
|
| 2SK3287 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
|
| 2SK3288 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
|
| 2SK3289 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
|
| 2SK3289 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
|
| 2SK3290 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
|
| 2SK3290 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
|
| 2SK3291 | SANYO |
获取价格 |
Ultrahigh-Speed Switching Applications |
|
| 2SK3292 | SANYO |
获取价格 |
Ultrahigh-Speed Switching Applications |
|
| 2SK3293 | SANYO |
获取价格 |
Ultrahigh-Speed Switching Applications |
|
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
