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2SK3290

更新时间: 2024-11-17 22:52:55
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8页 42K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching

2SK3290 数据手册

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2SK3290  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Switching  
ADE-208-744 C (Z)  
4th.Edition.  
June 1999  
Features  
Low on-resistance  
RDS = 0.455 typ. (VGS = 10 V , ID = 250 mA)  
RDS = 0.9 typ. (VGS = 4 V , ID = 100 mA)  
4 V gate drive device.  
Small package (MPAK)  
Outline  
MPAK  
3
1
D
2
G
1. Source  
2. Gate  
3. Drain  
S

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