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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.031 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3283 | SANYO |
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N-Channel Silicon MOSFET |
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| 2SK3283TP-FA | ONSEMI |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,15A I(D),TO-252VAR |
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| 2SK3284 | SANYO |
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General-Purpose Switching Device Applications |
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| 2SK3285 | SANYO |
获取价格 |
DC/DC Converter Applications |
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| 2SK3285SMP | SANYO |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-262VAR |
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| 2SK3285SMP-FA | SANYO |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB |
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| 2SK3287 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
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| 2SK3287 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
|
| 2SK3288 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
|
| 2SK3289 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
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