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2SK3284

更新时间： 2024-11-18 07:32:31
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体开关晶体管脉冲通用开关
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
General-Purpose Switching Device Applications

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2SK3284 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：400 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.55 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3284 数据手册

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Ordering number : ENA0168  
N-Channel Silicon MOSFET  
General-Purpose Switching Device  
Applications  
2SK3284  
Features  
• Low ON-resistance.  
•
Low Qg.  
•
Ultrahigh-speed switching.  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
400  
±30  
10  
DSS  
GSS  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
V
I
A
D
Drain Current (Pulse)  
Allowable Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
I
PW≤10µs, duty cycle≤1%  
Tc=25°C  
40  
A
DP  
P
50  
W
°C  
°C  
D
Tch  
150  
Tstg  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
400  
max  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
V
I
=1mA, V =0V  
V
mA  
nA  
V
(BR)DSS  
D GS  
I
V
V
V
V
=320V, V =0V  
GS  
1.0  
±100  
4
DSS  
GSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
I
=±30V, V =0V  
DS  
V (off)  
GS  
=10V, I =1mA  
3
D
Forward Transfer Admittance  
Static Drain-to-Source On-State Resistance  
Input Capacitance  
yfs  
(on)  
=10V, I =6A  
2.9  
5.8  
0.43  
S
D
R
I
=6A, V =15V  
0.55  
Ω
DS  
D GS  
Ciss  
Coss  
Crss  
Qg  
V
V
V
V
=20V, f=1MHz  
=20V, f=1MHz  
=20V, f=1MHz  
1150  
350  
150  
40  
pF  
pF  
pF  
nC  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
DS  
DS  
DS  
DS  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Total Gate Charge  
=200V, V =10V, I =10A  
GS  
D
Turn-ON Delay Time  
t (on)  
d
See specified Test Circuit.  
See specified Test Circuit.  
See specified Test Circuit.  
See specified Test Circuit.  
17  
Rise Time  
t
r
30  
Turn-OFF Delay Time  
Fall Time  
t (off)  
d
150  
50  
t
f
Diode Forward Voltage  
V
I =10A, V =0V  
GS  
1.2  
SD  
S
Note) Although the protection diode is contained between gate and source, be careful of handling enough.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
11006QB MS IM TB-00002033 No. A0168-1/4  
1234

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