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2SK2510

更新时间： 2024-11-15 22:52:55
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 83K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK2510 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.36Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：40 A
最大漏源导通电阻：0.03 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK2510 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK2510  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
PACKAGE DIMENSIONS  
(in millimeter)  
The 2SK2510 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed  
for high current switching applications.  
FEATURES  
10.0±0.3  
4.5±0.2  
3.2±0.2  
•
Super Low On-Resistance  
2.7±0.2  
RDS (on)1 = 20 mΩ (VGS = 10 V, ID = 20 A)  
RDS (on)2 = 30 mΩ (VGS = 4 V, ID = 20 A)  
•
•
Low Ciss  
Ciss = 1 600 pF TYP.  
Built-in G-S Protection Diode  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current (DC)  
VDSS  
VGSS  
ID(DC)  
ID(pulse)  
PT1  
60  
±20  
±40  
±160  
35  
V
V
A
Drain Current (pulse)*  
A
0.7±0.1  
2.54  
1.3±0.2  
2.5±0.1  
0.65±0.1  
Total Power Dissipation (Tc = 25 ˚C)  
Total Power Dissipation (TA = 25 ˚C)  
Channel Temperature  
W
W
˚C  
1.5±0.2  
2.54  
PT2  
2.0  
Tch  
150  
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
Storage Temperature  
Tstg –55 to +150 ˚C  
*
PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %  
1
2 3  
MP-45F (ISOLATED TO-220)  
Drain  
Body  
Diode  
Gate  
The diode connected between the gate and source of the transistor  
Gate  
Protection  
Diode  
serves as a protector against ESD. When this device is actually used,  
an additional protection circuit is externally required if a voltage  
exceeding the rated voltage may be applied to this device.  
Source  
Document No. D10290EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published August 1995  
Printed in Japan  
P
1995  
©
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2510-AZ NEC

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