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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK2516-01L
2SK2516-01L PDF预览

2SK2516-01L

更新时间： 2024-02-26 02:15:52
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 220K
描述
N-channel MOS-FET

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2SK2516-01L 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK2516-01L 数据手册

 浏览型号2SK2516-01L的Datasheet PDF文件第2页 
N-channel MOS-FET  
2SK2516-01L,S  
FAP-III Series  
30V  
13mW 50A  
80W  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Current  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- High Forward Transconductance  
> Applications  
- Motor Control  
- General Purpose Power Amplifier  
- DC-DC converters  
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
V
30  
30  
50  
DS  
Drain-Gate-Voltage (RGS=20KW)  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
V
V
DGR  
I
A
D
I
200  
±16  
A
D(puls)  
Gate-Source-Voltage  
V
V
GS  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
P
80  
W
°C  
°C  
D
T
150  
ch  
T
-55 ~ +150  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
ID=1mA  
Min.  
30  
1,0  
Typ.  
1,5  
Max.  
Unit  
V
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
(BR)DSS  
ID=1mA  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
V
2,0  
500  
1,0  
100  
22  
V
GS(th)  
VDS=30V  
VGS=0V  
I
10  
0,2  
10  
µA  
mA  
nA  
mW  
mW  
S
DSS  
VGS=±16V  
ID=25A  
Gate Source Leakage Current  
I
GSS  
VGS=4V  
Drain Source On-State Resistance  
R
16  
DS(on)  
ID=25A  
VGS=10V  
VDS=12V  
10  
13  
ID=25A  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
g
17  
35  
fs  
VDS=25V  
C
3500  
1650  
830  
15  
5250  
2480  
1250  
25  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
A
iss  
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=12V  
ID=50A  
Output Capacitance  
C
oss  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
C
rss  
t
d(on)  
t
65  
100  
290  
210  
r
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
VGS=10V  
RGS=10W  
t
190  
140  
d(off)  
t
f
Tch=25°C  
Avalanche capability  
I
L=100µH  
50  
AV  
IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
V
1,25  
60  
1,80  
V
SD  
t
ns  
µC  
rr  
-dIF/dt=100A/µs Tch=25°C  
Q
70  
rr  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to air  
Min.  
Typ.  
Max.  
125  
Unit  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
th(ch-a)  
R
channel to case  
1,56 °C/W  
th(ch-c)  
12

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