生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.83 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10 A | 最大漏极电流 (ID): | 10 A |
最大漏源导通电阻: | 0.4 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 40 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 40 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STP10NB20 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK2520-01MR | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2521-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2522-01MR | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2523-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2524-01MR | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2525-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2526-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2527-01MR | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2528-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2529 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |