2SK2510-AZ

更新时间： 2024-09-29 13:04:27

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	83K
描述
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN

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2SK2510-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.37
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	40 A
最大漏源导通电阻：	0.03 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2510-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK2510

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

(in millimeter)

The 2SK2510 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed

for high current switching applications.

FEATURES

10.0±0.3

4.5±0.2

3.2±0.2

•

Super Low On-Resistance

2.7±0.2

R^{DS (on)1}= 20 mΩ (VGS = 10 V, ID = 20 A)

R^{DS (on)2}= 30 mΩ (VGS = 4 V, ID = 20 A)

•

Low Ciss

Ciss = 1 600 pF TYP.

Built-in G-S Protection Diode

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

VDSS

V^GSS

ID(DC)

ID(pulse)

PT1

±20

±40

±160

Drain Current (pulse)*

0.7±0.1

2.54

1.3±0.2

2.5±0.1

0.65±0.1

Total Power Dissipation (T^c= 25 ˚C)

Total Power Dissipation (TA = 25 ˚C)

Channel Temperature

˚C

1.5±0.2

2.54

PT2

2.0

Tch

150

1. Gate

2. Drain

3. Source

Storage Temperature

T^stg–55 to +150 ˚C

PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

2 3

MP-45F (ISOLATED TO-220)

Drain

Body

Diode

Gate

The diode connected between the gate and source of the transistor

Gate

Protection

Diode

serves as a protector against ESD. When this device is actually used,

an additional protection circuit is externally required if a voltage

exceeding the rated voltage may be applied to this device.

Source

Document No. D10290EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published August 1995

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2511	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2511-A	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK2512	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2513	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK2513Z	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 45A I(D) \| TO-262AA
2SK2513-Z	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 45A I(D) \| TO-262AA
2SK2514	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2514-A	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK2515	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2515	RENESAS	获取价格	50A, 60V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, MP-88, 3 PIN

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