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2SK2515-A

更新时间： 2024-11-16 21:16:07

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		/
页数	文件大小	规格书
8页	117K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-88, 3 PIN

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2SK2515-A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.014 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2515-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK2515

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The 2SK2515 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed

for high current switching applications.

(in millimeter)

4.7 MAX.

1.5

FEATURES

15.7 MAX. 3.ꢀ 0.ꢀ

• Super Low On-Resistance

R^{DS (on)1}= 9 mΩ (VGS = 10 V, ID = 25 A)

R^{DS (on)2}= 14 mΩ (VGS = 4 V, ID = 25 A)

• Low Ciss

• Built-in G-S Protection Diode

Ciss = 3 400 pF TYP.

ꢀ

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Drain to Source Voltage

VDSS

V^GSS

ID (DC)

ꢀ.ꢀ 0.ꢀ

1.0 0.ꢀ

0.6 0.1

ꢀ.8 0.1

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

±20

±50

5.45

1. Gate

ꢀ. Drain

3. Source

Drain Current (pulse)*

ID (pulse) ±200

4. Fin (Drain)

Total Power Dissipation (Tc = 25 ˚C)

Total Power Dissipation (T^A= 25 ˚C)

Channel Temperature

PT1

PT2

Tch

150

3.0

˚C

MP-88

150

Drain

Storage Temperature

Tstg –55 to +150 ˚C

PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

Body

Diode

Gate

Gate Protection

Diode

Source

The diode connected between the gate and source of the transis-

tor serves as a protector against ESD. When this device is

actually used, an additional protection circuit is externally re-

quired if a voltage exceeding the rated voltage may be applied

to this device.

Document No. D10301EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published August 1995

Printed in Japan

1995

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