2SK2514-A

更新时间： 2024-11-16 13:04:27

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	115K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-88, 3 PIN

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2SK2514-A 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.38	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.023 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2514-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK2514

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

(in millimeter)

The 2SK2514 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed

for high current switching applications.

4.7 MAX.

1.5

FEATURES

15.7 MAX. 3.ꢀ 0.ꢀ

• Super Low On-Resistance

R^{DS (on)1}≤ 15 mΩ (VGS = 10 V, ID = 25 A)

R^{DS (on)2}≤ 23 mΩ (VGS = 4 V, ID = 25 A)

• Low Ciss

Ciss = 2 100 pF TYP.

ꢀ

• Built-in G-S Protection Diode

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

VDSS

V^GSS

ID (DC)

ꢀ.ꢀ 0.ꢀ

1.0 0.ꢀ

0.6 0.1

ꢀ.8 0.1

±20

±50

5.45

1. Gate

ꢀ. Drain

3. Source

Drain Current (pulse)*

ID (pulse) ±200

4. Fin (Drain)

Total Power Dissipation (Tc = 25 ˚C)

Total Power Dissipation (T^A= 25 ˚C)

Channel Temperature

PT1

PT2

Tch

150

3.0

˚C

MP-88

150

Drain

Storage Temperature

Tstg –55 to +150 ˚C

PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

Body

Diode

Gate

Gate Protection

Diode

Source

Document No. D10296EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published August 1995

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2515	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2515	RENESAS	获取价格	50A, 60V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, MP-88, 3 PIN
2SK2515-A	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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