2SK2511

更新时间： 2024-11-15 22:52:55

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK2511 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-3P, MP-88, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.91	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	40 A
最大漏源导通电阻：	0.04 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK2511 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK2511

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The 2SK2511 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed

for high current switching applications.

(in millimeter)

4.7 MAX.

1.5

FEATURES

15.7 MAX. 3.ꢀ 0.ꢀ

• Super Low On-Resistance

R^{DS (on)1}= 27 mΩ (VGS = 10 V, ID = 20 A)

R^{DS (on)2}= 40 mΩ (VGS = 4 V, ID = 20 A)

• Low Ciss

• Built-in G-S Protection Diode

Ciss = 1 210 pF TYP.

ꢀ

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Drain to Source Voltage

VDSS

V^GSS

ID (DC)

ꢀ.ꢀ 0.ꢀ

1.0 0.ꢀ

0.6 0.1

ꢀ.8 0.1

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

±20

±40

5.45

1. Gate

ꢀ. Drain

3. Source

Drain Current (pulse)*

ID (pulse) ±160

4. Fin (Drain)

Total Power Dissipation (Tc = 25 ˚C)

Total Power Dissipation (T^A= 25 ˚C)

Channel Temperature

PT1

PT2

Tch

3.0

150

˚C

MP-88

Storage Temperature

Tstg –55 to +150 ˚C

Drain

PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

Body

Diode

Gate

Gate Protection

Diode

Source

The diode connected between the gate and source of the

transistor serves as a protector against ESD. When this device is

actually used, an additional protection circuit is externally re-

quired if a voltage exceeding the rated voltage may be applied to

this device.

Document No. D10295EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published August 1995

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6 7 8

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与2SK2511相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2511-A	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK2512	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2513	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK2513Z	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 45A I(D) \| TO-262AA
2SK2513-Z	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 45A I(D) \| TO-262AA
2SK2514	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2514-A	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK2515	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2515	RENESAS	获取价格	50A, 60V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, MP-88, 3 PIN
2SK2515-A	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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