2SK2478

更新时间： 2024-11-12 22:52:55

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK2478 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.37
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	16.5 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	7.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK2478 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK2478

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

(in millimeter)

The 2SK2478 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed

for high voltage switching applications.

FEATURES

• Low On-Resistance

R^{DS (on)}= 7.5 Ω (VGS = 10 V, ID = 1.0 A)

10.0 0.ꢀ

4.5 0.ꢁ

ꢀ.ꢁ 0.ꢁ

ꢁ.7 0.ꢁ

• Low Ciss

Ciss = 485 pF TYP.

• High Avalanche Capability Ratings

• Isolated TO-220 Package

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Drain to Source Voltage

VDSS

V^GSS

ID(DC)

ID(pulse)

PT1

900

±30

±2.0

±8.0

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

Drain Current (pulse)*

0.7 0.1

ꢁ.54

1.ꢀ 0.ꢁ

ꢁ.5 0.1

0.65 0.1

Total Power Dissipation (Tc = 25 ˚C)

Total Power Dissipation (T^A= 25 ˚C)

Channel Temperature

˚C

1.5 0.ꢁ

ꢁ.54

PT2

2.0

Tch

150

1. Gate

ꢁ. Drain

ꢀ. Source

Storage Temperature

Tstg –55 to +150 ˚C

Single Avalanche Current**

Single Avalanche Energy**

I^AS

2.0

EAS

16.5

ꢁ ꢀ

PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

MP-45F (ISOLATED TO-220)

** Starting T^ch= 25 ˚C, RG = 25 Ω, VGS = 20 V → 0

Drain

Body

Diode

Gate

Source

Document No. D10270EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published August 1995

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6 7 8

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与2SK2478相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2478-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 900V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK2479	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistors
2SK2479	TYSEMI	获取价格	Low On-state Resistance:RDS(on)=7.5 max.(VGS=10V,ID=2.0A) High Avalanche Capability Rating
2SK2479	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2479-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK2480	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2480-AZ	RENESAS	获取价格	2SK2480-AZ
2SK2481	TYSEMI	获取价格	Low On-state Resistance:RDS(on)=4 max.(VGS=10V,ID=2.0A) High Avalanche Capability Ratings
2SK2481	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2481	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistors

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