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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK2478-AZ
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2SK2478-AZ

更新时间： 2024-01-19 01:07:10
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 118K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 900V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN

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2SK2478-AZ 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.38其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：16.5 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：7.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK2478-AZ 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK2478  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
PACKAGE DIMENSIONS  
(in millimeter)  
The 2SK2478 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed  
for high voltage switching applications.  
FEATURES  
• Low On-Resistance  
RDS (on) = 7.5 Ω (VGS = 10 V, ID = 1.0 A)  
10.0 0.ꢀ  
4.5 0.ꢁ  
ꢀ.ꢁ 0.ꢁ  
ꢁ.7 0.ꢁ  
• Low Ciss  
Ciss = 485 pF TYP.  
• High Avalanche Capability Ratings  
• Isolated TO-220 Package  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
Drain to Source Voltage  
VDSS  
VGSS  
ID(DC)  
ID(pulse)  
PT1  
900  
±30  
±2.0  
±8.0  
30  
V
V
Gate to Source Voltage  
Drain Current (DC)  
A
Drain Current (pulse)*  
A
0.7 0.1  
ꢁ.54  
1.ꢀ 0.ꢁ  
ꢁ.5 0.1  
0.65 0.1  
Total Power Dissipation (Tc = 25 ˚C)  
Total Power Dissipation (TA = 25 ˚C)  
Channel Temperature  
W
W
˚C  
1.5 0.ꢁ  
ꢁ.54  
PT2  
2.0  
Tch  
150  
1. Gate  
ꢁ. Drain  
ꢀ. Source  
Storage Temperature  
Tstg –55 to +150 ˚C  
Single Avalanche Current**  
Single Avalanche Energy**  
IAS  
2.0  
A
EAS  
16.5  
mJ  
1
ꢁ ꢀ  
*
PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %  
MP-45F (ISOLATED TO-220)  
** Starting Tch = 25 ˚C, RG = 25 Ω, VGS = 20 V → 0  
Drain  
Body  
Diode  
Gate  
Source  
Document No. D10270EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published August 1995  
Printed in Japan  
P
1995  
©
12345678

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