2SK2482

更新时间： 2024-11-12 22:52:55

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK2482 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-3P, MP-88, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	其他特性：	HIGH VOLTAGE, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	73.5 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2482 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK2482

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The 2SK2482 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed

for high voltage switching applications.

(in m illim eter)

FEATURES

4.7 MAX.

1.5

15.7 MAX. 3.2±0.2

•

Low On-Resistance

R^{DS (on)}= 4.0 Ω (VGS = 10 V, ID = 3.0 A)

•

Low Ciss

Ciss = 900 pF TYP.

High Avalanche Capability Ratings

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Drain to Source Voltage

VDSS

VGSS

I^{D (DC)}

ID (pulse)

PT1

900

±30

±5.0

±12

100

3.0

Gate to Source Voltage

2.2±0.2

1.0±0.2

0.6±0.1

2.8±0.1

Drain Current (DC)

5.45

1. Gate

Drain Current (pulse)*

2. Drain

3. Source

4. Fin (Drain)

Total Power Dissipation (Tc = 25 ˚C)

Total Power Dissipation (T^A= 25 ˚C)

Channel Tem perature

˚C

PT2

Tch

150

MP-88

Storage Tem perature

Tstg –55 to +150 ˚C

Drain

Single Avalanche Current**

Single Avalanche Energy**

I^AS

5.0

EAS

73.5

m J

PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

Body

Diode

** Starting T^ch= 25 ˚C, RG = 25 Ω, VGS = 20 V → 0

Gate

Source

Document No. D10274EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published August 1995 P

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2482-A	NEC	获取价格	暂无描述
2SK2483	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2484	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2484	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistors
2SK2484	TYSEMI	获取价格	Low On-state Resistance:RDS(on)=2.8 max.(VGS=10V,ID=3.0A) High Avalanche Capability Rating
2SK2484-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK2485	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2486	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2487	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
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