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2SK2481

更新时间： 2024-09-26 22:52:55
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 119K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK2481 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.36
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：65.9 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK2481 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK2481  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
PACKAGE DIMENSIONS  
(in millimeters)  
The 2SK2481 is N-Channel MOS Field Effect Transistor de-  
signed for high voltage switching applications.  
10.6 MAX.  
4.8 MAX.  
FEATURES  
• Low On-Resistance  
RDS(on) = 4.0 Ω (VGS = 10 V, ID = 2.0 A)  
3.6 0.ꢀ  
1.3 0.ꢀ  
10.0  
• Low Ciss  
• High Avalanche Capability Ratings  
Ciss = 900 pF TYP.  
4
1 ꢀ 3  
0.5 0.ꢀ  
1.3 0.ꢀ  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
0.75 0.1  
ꢀ.54  
ꢀ.8 0.ꢀ  
Drain to Source Voltage  
VDSS  
VGSS  
ID(DC)  
ID(pulse)  
PT1  
900  
±30  
±4.0  
±12  
70  
V
V
ꢀ.54  
1. Gate  
Gate to Source Voltage  
Drain Current (DC)  
ꢀ. Drain  
A
3. Source  
4. Fin (Drain)  
Drain Current (pulse)*  
A
JEDEC: TO-ꢀꢀ0AB  
Total Power Dissipation (Tc = 25 ˚C)  
Total Power Dissipation (TA = 25 ˚C)  
Channel Temperature  
W
W
˚C  
MP-25 (TO-220)  
PT2  
1.5  
Drain  
Tch  
150  
Storage Temperature  
Tstg –55 to +150 ˚C  
Single Avalanche Current**  
Single Avalanche Energy**  
IAS  
4.0  
A
Body  
Diode  
EAS  
65.9  
mJ  
Gate  
*
PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %  
** Starting Tch = 25 ˚C, RG = 25 Ω, VGS = 20 V → 0  
Source  
Document No. D10273EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published August 1995 P  
Printed in Japan  
1995  
©
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2481-AZ NEC

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 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
2SK2482 NEC

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 		暂无描述
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