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2SK2481

更新时间: 2024-02-01 17:43:45
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科信 - KEXIN 晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 44K
描述
MOS Field Effect Transistors

2SK2481 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:MP-25包装说明:MP-25, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.34
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):65.9 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:900 V最大漏极电流 (Abs) (ID):4 A
最大漏极电流 (ID):4 A最大漏源导通电阻:4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):70 W最大脉冲漏极电流 (IDM):12 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK2481 数据手册

 浏览型号2SK2481的Datasheet PDF文件第2页 
SMD Type  
Transistors  
MOS Field Effect Transistors  
2SK2481  
TO-263  
Unit: mm  
Features  
+0.2  
4.57  
-0.2  
+0.1  
1.27  
-0.1  
Low On-state Resistance:RDS(on)=4 max.(VGS=10V,ID=2.0A)  
Low Ciss Ciss=900pF TYP  
High Avalanche Capability Ratings  
+0.1  
1.27  
-0.1  
0.1max  
+0.1  
0.81  
-0.1  
2.54  
1 Gate  
+0.2  
2.54  
-0.2  
+0.1  
5.08  
-0.1  
+0.2  
0.4  
-0.2  
2 Drain  
3 Source  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
Rating  
Unit  
V
900  
Gate to Source Voltage  
VGSS  
V
30  
Drain Current(DC)  
ID(DS)  
A
4
Drain Current(pulse) *1  
ID(pulse)  
A
12  
1.5  
Total Power Dissipation Ta = 25  
Total Power Dissipation TC = 25  
Channel Temperature  
PT  
W
70  
150  
Tch  
Tstg  
IAS  
Storage temperature  
-55 to +150  
4
Single Avalanche Current *2  
Single Avalanche Energy *2  
*1. PW 10ìs,Dduty cycle 1%.  
*2.Starting Tch=25 ,RG=25Ù,VGS=20V  
A
EAS  
65.9  
mJ  
0
1
www.kexin.com.cn  

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