2SK2446-L

更新时间： 2024-11-12 22:52:55

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富士电机 - FUJI		/
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N-channel MOS-FET

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2SK2446-L 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.07 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2446-L 数据手册

N-channel MOS-FET

2SK2446-L,S

F-III Series

100V 0,055W 30A 80W

> Features

> Outline Drawing

- High Current

- Low On-Resistance

- No Secondary Breakdown

- Low Driving Power

- High Forward Transconductance

> Applications

- Motor Control

- General Purpose Power Amplifier

- DC-DC converters

> Maximum Ratings and Characteristics

> Equivalent Circuit

- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified

Item

Symbol

Rating

Unit

Drain-Source-Voltage

100

Drain-Gate-Voltage (R_GS=20KW)

Continous Drain Current

Pulsed Drain Current

100

DGR

120

D(puls)

Gate-Source-Voltage

±20

Max. Power Dissipation

Operating and Storage Temperature Range

°C

150

-55 ~ +150

stg

Electrical Characteristics (T_C=25°C), unless otherwise specified

Item

Symbol

Test conditions

Min.

100

Typ.

1,5

Max.

Unit

I_D=1mA

V_DS=100V

V_GS=0V

V_GS=±20V

I_D=15A

V_GS=0V

Drain-Source Breakdown-Voltage

Gate Threshhold Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

(BR)DSS

V_DS=V_GS

T_ch=25°C

T_ch=125°C

V_DS=0V

1,0

2,5

500

1,0

GS(th)

0,2

µA

DSS

Gate Source Leakage Current

100

0,07

GSS

V_GS=4V

Drain Source On-State Resistance

0,04

DS(on)

I_D=15A

V_GS=10V

V_DS=25V

0,03 0,055

I_D=15A

Forward Transconductance

Input Capacitance

V_DS=25V

2500

500

250

3700

750

380

iss

V_GS=0V

f=1MHz

V_CC=30V

I_D=30A

Output Capacitance

oss

Reverse Transfer Capacitance

Turn-On-Time t_on(t_on=t_d(on)+t_r)

rss

d(on)

140

500

260

0,9

210

750

390

1,5

Turn-Off-Time t_off(t_on=t_d(off)+t_f)

V_GS=10V

R_GS=25W

I_F=2xI_DRV_GS=0V T_ch=25°C

I_F=I_DRV_GS=0V

d(off)

Diode Forward On-Voltage

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

130

1,0

µC

-dI_F/dt=100A/µs T_ch=25°C

Thermal Characteristics

Symbol

Test conditions

channel to air

Min.

Typ.

Max.

125

Unit

Thermal Resistance

°C/W

th(ch-a)

channel to case

1,56 °C/W

th(ch-c)

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