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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | LEAD FREE, 2-16F1B, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.33 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 180 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2467_06 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel MOS Type High-Power Amplifier Application |
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| 2SK2467Y | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 180V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-247VAR |
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| 2SK2467-Y | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SK2469-01MR | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK246BL | TOSHIBA |
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N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR CONSTANT CURRENT, IMPEDANCE CONVERTER AND DC-AC HIGH INPUT IM |
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| 2SK246-BL(TE2,F,T) | TOSHIBA |
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Small Signal Field-Effect Transistor |
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| 2SK246GR | TOSHIBA |
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N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR CONSTANT CURRENT, IMPEDANCE CONVERTER AND DC-AC HIGH INPUT IM |
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| 2SK246Y | TOSHIBA |
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N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR CONSTANT CURRENT, IMPEDANCE CONVERTER AND DC-AC HIGH INPUT IM |
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| 2SK246-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, 2-5F1C, SC-43, 3 PIN, FET General Pur |
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| 2SK247 | PANASONIC |
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SI N CHANNEL JUCTION |
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