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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.34 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 180 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 80 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2469-01MR | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK246BL | TOSHIBA |
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N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR CONSTANT CURRENT, IMPEDANCE CONVERTER AND DC-AC HIGH INPUT IM |
|
| 2SK246-BL(TE2,F,T) | TOSHIBA |
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Small Signal Field-Effect Transistor |
|
| 2SK246GR | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR CONSTANT CURRENT, IMPEDANCE CONVERTER AND DC-AC HIGH INPUT IM |
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| 2SK246Y | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR CONSTANT CURRENT, IMPEDANCE CONVERTER AND DC-AC HIGH INPUT IM |
|
| 2SK246-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, 2-5F1C, SC-43, 3 PIN, FET General Pur |
|
| 2SK247 | PANASONIC |
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SI N CHANNEL JUCTION |
|
| 2SK2470-01MR | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK2471-01 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
|
| 2SK2473-01 | FUJI |
获取价格 |
N CHANNEL MOS FET |
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