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| 新电元 - SHINDENGEN |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 10页 | 371K |  |
| 描述 | ||
| VX-2 Series Power MOSFET(500V 12A) | ||
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.9 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.7 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2476 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK2476-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK2477 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK2477-A | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SK2478 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK2478-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 900V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK2479 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistors |
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| 2SK2479 | TYSEMI |
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Low On-state Resistance:RDS(on)=7.5 max.(VGS=10V,ID=2.0A) High Avalanche Capability Rating |
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| 2SK2479 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK2479-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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