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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.71 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2464 | SANYO |
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Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| 2SK2466 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE(HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER |
|
| 2SK2467 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SK2467_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS Type High-Power Amplifier Application |
|
| 2SK2467Y | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 180V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-247VAR |
|
| 2SK2467-Y | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SK2469-01MR | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
|
| 2SK246BL | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR CONSTANT CURRENT, IMPEDANCE CONVERTER AND DC-AC HIGH INPUT IM |
|
| 2SK246-BL(TE2,F,T) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
|
| 2SK246GR | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR CONSTANT CURRENT, IMPEDANCE CONVERTER AND DC-AC HIGH INPUT IM |
|
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