5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK2461
2SK2461 PDF预览

2SK2461

更新时间： 2024-02-07 05:56:46
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 116K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SK2461 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：MP-45F包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.37Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：40 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：35 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK2461 数据手册

 浏览型号2SK2461的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2461的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK2461的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK2461的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK2461的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK2461的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK2461  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
PACKAGE DIMENSIONS  
The 2SK2461 is N-Channel MOS Field Effect Transistor de-  
signed for high speed switching applications.  
(in millimeters)  
10.0 0.ꢀ  
4.5 0.2  
ꢀ.2 0.2  
FEATURES  
2.7 0.2  
• Low On-Resistance  
RDS(on)1 = 80 mΩ MAX. (@ VGS = 10 V, ID = 10 A)  
RDS(on)2 = 0.1 Ω MAX. (@ VGS = 4 V, ID = 10 A)  
• Low Ciss  
Ciss = 1400 pF TYP.  
• Built-in G-S Gate Protection Diodes  
• High Avalanche Capability Ratings  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current (DC)  
VDSS  
100  
±20  
±20  
±80  
35  
V
V
VGSS  
0.7 0.1  
2.54  
1.ꢀ 0.2  
2.5 0.1  
1.5 0.2  
2.54  
0.65 0.1  
ID(DC)  
ID(pulse)  
A
Drain Current (pulse)*  
A
1. Gate  
2. Drain  
ꢀ. Source  
Total Power Dissipation (Tc = 25 ˚C) PT1  
Total Power Dissipation (TA = 25 ˚C) PT2  
W
W
˚C  
2.0  
Channel Temperature  
Tch  
Tstg  
IAS  
150  
1
2 ꢀ  
Storage Temperature  
–55 to +150 ˚C  
Single Avalanche Current**  
Single Avalanche Energy**  
20  
40  
A
MP-45F (ISOLATED TO-220)  
EAS  
mJ  
*
PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %  
Drain  
** Starting Tch = 25 ˚C, RG = 25 Ω, VGS = 20 V → 0  
Body  
Diode  
Gate  
Gate Protection  
Diode  
Source  
Document No. TC-2529  
(O. D. No. TC-8078)  
Date Published April 1995  
Printed in Japan  
P
1995  
©
12345678

中文翻译

下载PDF

与2SK2461相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2461-AZ NEC

获取价格

 		暂无描述
2SK2462 NEC

获取价格

 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2462 RENESAS

获取价格

 		15A, 100V, 0.17ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN
2SK2462(0)-AZ RENESAS

获取价格

 		2SK2462(0)-AZ
2SK2462-AZ RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel MOSFET, MP-45F, /Bag
2SK2463 ROHM

获取价格

 		Small switching (60V, 2A)
2SK2463T100 ROHM

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK2463T101 ROHM

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2SK2464 SANYO

获取价格

 		Ultrahigh-Speed Switching Applications
2SK2466 TOSHIBA

获取价格

 		N CHANNEL MOS TYPE(HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER

与2SK2461相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证