2SK2462

更新时间： 2024-01-07 17:15:37

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK2462 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MP-45F	包装说明：	MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.37	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	22.5 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.17 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK2462 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK2462

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The 2SK2462 is N-Channel MOS Field Effect Transistor de-

signed for high current switching applications.

(in millimeters)

4.5 0.2

10.0 0.ꢀ

ꢀ.2 0.2

FEATURES

2.7 0.2

• Low On-Resistance

R^DS(on)1= 0.14 Ω MAX. (@ VGS = 10 V, ID = 8.0 A)

R^DS(on)2= 0.17 Ω MAX. (@ VGS = 4 V, ID = 8.0 A)

• Low Ciss

Ciss = 790 pF TYP.

• Built-in G-S Gate Protection Diodes

• High Avalanche Capability Ratings

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

VDSS

100

±20

±15

±60

VGSS

2.5 0.1

0.7 0.1

2.54

1.ꢀ 0.2

ID(DC)

ID(pulse)

1.5 0.2 0.65 0.1

2.54

Drain Current (pulse)*

Total Power Dissipation (T^c= 25 ˚C) PT1

Total Power Dissipation (TA = 25 ˚C) PT2

˚C

1. Gate

2. Drain

2.0

ꢀ. Source

Channel Temperature

Tch

T^stg

IAS

150

Storage Temperature

–55 to +150 ˚C

2 ꢀ

Single Avalanche Current**

Single Avalanche Energy**

EAS

22.5

MP-45F(ISOLATED TO-220)

PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

Drain

** Starting Tch = 25 ˚C, RG = 25 Ω, VGS = 20 V → 0

Body

Diode

Gate

Gate Protection

Diode

Source

The diode connected between the gate and source of the

transistor serves as a protector against ESD. When this

device is actually used, an additional protection circuit is

externally required if a voltage exceeding rated voltage may

be applied to this device.

Document No. D10031EJ1V0DS00

Date Published May 1995

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2462(0)-AZ	RENESAS	获取价格	2SK2462(0)-AZ
2SK2462-AZ	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOSFET, MP-45F, /Bag
2SK2463	ROHM	获取价格	Small switching (60V, 2A)
2SK2463T100	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK2463T101	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2SK2464	SANYO	获取价格	Ultrahigh-Speed Switching Applications
2SK2466	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL MOS TYPE(HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER
2SK2467	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SK2467_06	TOSHIBA	获取价格	Silicon N Channel MOS Type High-Power Amplifier Application
2SK2467Y	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 180V V(BR)DSS \| 9A I(D) \| TO-247VAR

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