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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.68 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.58 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2463T101 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| 2SK2464 | SANYO |
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Ultrahigh-Speed Switching Applications |
|
| 2SK2466 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE(HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER |
|
| 2SK2467 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SK2467_06 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel MOS Type High-Power Amplifier Application |
|
| 2SK2467Y | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 180V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-247VAR |
|
| 2SK2467-Y | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SK2469-01MR | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
|
| 2SK246BL | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR CONSTANT CURRENT, IMPEDANCE CONVERTER AND DC-AC HIGH INPUT IM |
|
| 2SK246-BL(TE2,F,T) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
|
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