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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 45 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF640PBF | VISHAY |
功能相似  |
Power MOSFET |
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| IRF640NPBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF640N | INFINEON |
功能相似 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1351 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1352 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 7 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1356 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 3 A, 900 V, 4.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220IS, TO-220IS, 3 PIN, F |
|
| 2SK1357 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 5 A, 900 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1358 | TOSHIBA |
获取价格 |
FET, Silicon N Channel MOS Type(for High Speed, High Current DC-DC Converter, Relay Drive |
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| 2SK1358 | NJSEMI |
获取价格 |
Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type |
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| 2SK1359 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE AP |
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| 2SK1359(F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 5 A, 1000 V, 3.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-16C1B, 3 PIN, |
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| 2SK1359_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS Type (?#8722;MOSII.5) DC−DC Converter and Motor Drive Applicat |
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| 2SK1359_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
DC−DC Converter and Motor Drive Applications |
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