是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Lifetime Buy | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.32 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 1000 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7 A | 最大漏极电流 (ID): | 7 A |
最大漏源导通电阻: | 1.8 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 90 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 21 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK1365(F) | TOSHIBA |
获取价格 |
MOSFET N-CH 1KV 7A 2-16F1B | |
2SK1365_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS Type Switching Power Supply Applications | |
2SK1365_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Power Supply Applications | |
2SK1366 | SANKEN |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
2SK1371 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-3 | |
2SK1372 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-3 | |
2SK1374 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1374G | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
2SK1374G0L | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon N-channel MOSFET | |
2SK1374H | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |