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2SK1365

更新时间: 2024-11-27 22:45:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
5页 253K
描述
FET, Silicon N Channel MOS Type(for High Speed, High Current Switching, Switching Power Supply)

2SK1365 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Lifetime Buy包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.32Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):7 A最大漏极电流 (ID):7 A
最大漏源导通电阻:1.8 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):90 W最大脉冲漏极电流 (IDM):21 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK1365 数据手册

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