2SK1374

更新时间： 2024-11-27 22:45:07

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描述
Silicon N-Channel MOS FET

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2SK1374 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.81	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.05 A
最大漏极电流 (ID)：	0.05 A	最大漏源导通电阻：	50 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

2SK1374 数据手册

Silicon MOS FETs (Small Signal)

2SK1374

Silicon N-Channel MOS FET

For switching

unit: mm

2.1±0.1

■ Features

0.425

1.25±0.1

0.425

● High-speed switching

● Wide frequency band

● Incorporating a built-in gate protection-diode

● Allowing 2.5V drive

■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Drain to Source voltage

Gate to Source voltage

Drain current

Symbol

V_DS

V_GSO

I_D

Ratings

Unit

0.2±0.1

°C

Max drain current

I_DP

100

1: Gate

2: Source

3: Drain

EIAJ: SC-70

S-Mini Type Package (3-pin)

Allowable power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

P_D

150

T_ch

150

Marking Symbol: 4V

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

I_DSS

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

V_DS= 20V, V_GS= 0

I_GSS

V_GS= 10V, V_DS= 0

I_D= 10µA, V_GS= 0

I_D= 100µA, V_DS= 5V

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

100

0.8

Gate threshold voltage

V_th

0.5

1.1

Drain to Source ON-resistance

Forward transfer admittance

R_DS(on)

| Y_fs|

_D= 10mA, V_GS= 2.5V

Ω

I_D= 10mA, V_DS= 5V, f = 1kHz

V_DS= 5V, V_GS= 0, f = 1MHz

µs

Input capacitance (Common Source) C_iss

Output capacitance (Common Source) C_oss

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

4.5

4.1

1.2

0.2

Turn-on time

Turn-off time

t_on

V_DD= 5V, V_GS= 0 to 2.5V, R_L= 470Ω

V_DD= 5V, V_GS= 2.5 to 0V, R_L= 470Ω

t_off

µs

¹Pulse measurement

²t_on, t_offmeasurement circuit

V_out

470Ω

90%

10%

V_in

V_out

V_GS= 2.5V

V_DD= 5V

10%

90%

50Ω

t_on

t_off

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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