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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3PIS |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 80 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1363 | ETC |
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2SK1363 |
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| 2SK1365 | TOSHIBA |
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FET, Silicon N Channel MOS Type(for High Speed, High Current Switching, Switching Power Su |
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| 2SK1365(F) | TOSHIBA |
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MOSFET N-CH 1KV 7A 2-16F1B |
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| 2SK1365_06 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel MOS Type Switching Power Supply Applications |
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| 2SK1365_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Power Supply Applications |
|
| 2SK1366 | SANKEN |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1371 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-3 |
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| 2SK1372 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-3 |
|
| 2SK1374 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK1374G | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
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