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2SK1359(F)

更新时间： 2024-11-28 19:59:03

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	425K
描述
TRANSISTOR 5 A, 1000 V, 3.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-16C1B, 3 PIN, FET General Purpose Power

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2SK1359(F) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, 2-16C1B, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	3.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK1359(F) 数据手册

2SK1359

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSII )

2SK1359

DC−DC Converter and Motor Drive Applications

Unit: mm

z Low drain−source ON resistance

z High forward transfer admittance

: R

= 3.0 Ω (typ.)

DS (ON)

: |Y | = 2.0 S (typ.)

z Low leakage current

z Enhancement mode

: I

= 300 μA (max) (V

= 800 V)

DSS

: V = 1.5 to 3.5 V (V

= 10 V, I = 1 mA)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain−source voltage

Symbol

Rating

Unit

1000

±30

DSS

1. GATE

Drain−gate voltage (R

Gate−source voltage

= 20 kΩ)

DGR

2. DRAIN (HEAT SINK)

3. SOURCE

GSS

JEDEC

JEITA

―

DC (Note 1)

Pulse (Note 1)

Drain current

Drain power dissipation (Tc = 25°C)

Channel temperature

125

°C

TOSHIBA

2-16C1B

stg

150

Weight: 4.6 g (typ.)

Storage temperature range

−55~150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.

operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate

reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and

Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

1.0

Unit

Thermal resistance, channel to case

°C / W

th (ch−c)

th (ch−a)

Thermal resistance, channel to

ambient

Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.

This transistor is an electrostatic-sensitive device.

Please handle with caution.

2009-09-29

12 3 4 5 6

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