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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | 2-16C1B, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.19 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 3.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 15 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFPG30 | VISHAY |
功能相似  |
Power MOSFET |
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| IRFPG30PBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
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| IRFPG40 | INTERSIL |
功能相似 |
4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1359(F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 5 A, 1000 V, 3.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-16C1B, 3 PIN, |
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| 2SK1359_06 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel MOS Type (?#8722;MOSII.5) DC−DC Converter and Motor Drive Applicat |
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| 2SK1359_09 | TOSHIBA |
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DC−DC Converter and Motor Drive Applications |
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| 2SK136 | PANASONIC |
获取价格 |
SI N CHANNEL JUNCTION |
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| 2SK1362 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 5 A, 900 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3PIS, TO-3PIS, 3 PIN, FET |
|
| 2SK1363 | ETC |
获取价格 |
2SK1363 |
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| 2SK1365 | TOSHIBA |
获取价格 |
FET, Silicon N Channel MOS Type(for High Speed, High Current Switching, Switching Power Su |
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| 2SK1365(F) | TOSHIBA |
获取价格 |
MOSFET N-CH 1KV 7A 2-16F1B |
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| 2SK1365_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS Type Switching Power Supply Applications |
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| 2SK1365_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Power Supply Applications |
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