Datasheet > 2SJ162

2SJ162

更新时间： 2024-02-13 21:08:36

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
8页	43K
描述
Silicon P-Channel MOS FET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SJ162 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.2	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
最大漏极电流 (ID)：	7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ162 数据手册

2SJ160, 2SJ161, 2SJ162

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol Min

V_(BR)DSX–120

–140

Typ

—

Max

—

Unit

Test conditions

Drain to source

2SJ160

I_D= –10 mA , V_GS= 10 V

breakdown voltage 2SJ161

2SJ162

—

–160

—

Gate to source breakdown

voltage

V_(BR)GSS±15

—

I_G= ±100 µA, V_DS= 0

Gate to source cutoff voltage

V_GS(off)

V_DS(sat)

–0.15

—

–1.45

–12

I_D= –100 mA, V_DS= –10 V

I_D= –7 A, V_GD= 0*¹

Drain to source saturation

voltage

Forward transfer admittance

Input capacitance

|y_fs|

Ciss

Coss

Crss

t_on

0.7

—

1.0

900

400

1.4

—

I_D= –3 A, V_DS= –10 V*¹

V_GS= 5 V, V_DS= –10V,

f = 1 MHz

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on time

230

110

V_DD= –20 V, I_D= –4 A

Turn-off time

t_off

Note: 1. Pulse test

1 234 5 6 7 8

下载PDF

与2SJ162相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ162-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ163	PANASONIC	Silicon P-Channel Junction FET	获取价格
2SJ163O	PANASONIC	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction	获取价格
2SJ163P	PANASONIC	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction	获取价格
2SJ163Q	PANASONIC	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction	获取价格
2SJ163TSK	PANASONIC	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction	获取价格