5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.2 | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ162 | RENESAS |
完全替代  |
Silicon P Channel MOS FET |
|
| 2SJ161 | RENESAS |
功能相似 |
Silicon P Channel MOS FET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ163 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon P-Channel Junction FET |
|
| 2SJ163O | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SJ163P | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SJ163Q | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SJ163TSK | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SJ164 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon P-Channel Junction FET |
|
| 2SJ164Q | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SJ165 | NEC |
获取价格 |
P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING |
|
| 2SJ165-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SJ166 | NEC |
获取价格 |
P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
