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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.88 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH INPUT IMPEDANCE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 50 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ165-A | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ166 | NEC |
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P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SJ166 | KEXIN |
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MOS Fied Effect Transistor |
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| 2SJ166-A | RENESAS |
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100mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN |
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| 2SJ166-L-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-346 |
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| 2SJ166-T1B | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ166-T2B | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SJ166-T2B | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-346 |
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| 2SJ167 | TOSHIBA |
获取价格 |
P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH, INTERFACE APPLICATIONS) |
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| 2SJ167_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS Type |
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