5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | 最大漏极电流 (ID)： | 0.02 A |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Small Signal | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ165 | NEC |
获取价格 |
P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING |
|
| 2SJ165-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SJ166 | NEC |
获取价格 |
P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
|
| 2SJ166 | KEXIN |
获取价格 |
MOS Fied Effect Transistor |
|
| 2SJ166-A | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN |
|
| 2SJ166-L-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-346 |
|
| 2SJ166-T1B | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SJ166-T2B | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SJ166-T2B | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-346 |
|
| 2SJ167 | TOSHIBA |
获取价格 |
P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH, INTERFACE APPLICATIONS) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
