2SJ163Q

更新时间： 2024-11-20 13:04:27

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松下 - PANASONIC		/
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2页	34K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, SC-59, MINI3-G1, 3 PIN

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2SJ163Q 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.91	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SINGLE
最大漏极电流 (ID)：	0.02 A	FET 技术：	JUNCTION
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ163Q 数据手册

Silicon Junction FETs (Small Signal)

2SJ163

Silicon P-Channel Junction FET

For general switching

unit: mm

2.8 –⁺0⁰.^.3²

1.5 –⁺0⁰.^.0²5⁵

Complementary to 2SK1103

0.65±0.15

■ Features

● Low ON-resistance

● Low-noise characteristics

■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Gate to Drain voltage

Drain current

Symbol

V_GDS

I_D

Ratings

Unit

−20

°C

0.1 to 0.3

0.4±0.2

Gate current

I_G

−10

Allowable power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

P_D

150

1: Source

2: Drain

3: Gate

JEDEC: TO-236

EIAJ: SC-59

Mini Type Package (3-pin)

T_ch

150

T_stg

−55 to +150

°C

Marking Symbol (Example): 4M

■ Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

V_DS= −10V, V_GS= 0

min

typ

max

−6

Unit

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

Gate to Drain voltage

I_DSS

− 0.2

I_GSS

V_GS= 30V, V_DS= 0

V_GDS

V_GSC

| Y_fs|

R_DS(on)

I_G= 10µA, V_DS= 0

Gate to Source cut-off voltage

Forward transfer admittance

Drain to Source ON-resistance

V_DS= −10V, I_D= −10µA

V_DS= −10V, I_D= −1mA, f = 1kHz

V_DS= −10mV, V_GS= 0

1.5

2.5

300

3.5

1.8

Ω

Input capacitance (Common Source) C_iss

V_DS= −10V, V_GS= 0, f = 1MHz

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

^*I_DSSrank classification

Runk

I_DSS(mA)

− 0.2 to −1 − 0.6 to −1.5

4MO 4MP

−1 to −3

4MQ

−2.5 to −6

4MR

Marking Symbol

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