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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD638Q
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2SD638Q

更新时间： 2024-11-25 12:59:27
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 43K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, M-A1, 3 PIN

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2SD638Q 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.82最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：85JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

2SD638Q 数据手册

 浏览型号2SD638Q的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SD638, 2SD639  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For medium-power general amplification  
Complementary to 2SB643 and 2SB644  
Unit: mm  
6.9±0.1  
2.5±0.1  
1.5  
1.5 R0.9  
1.0  
Features  
■
R0.9  
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
●
M type package allowing easy automatic and manual insertion as  
well as stand-alone fixing to the printed circuit board.  
R0.7  
0.85  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
0.55±0.1  
0.45±0.05  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Collector to  
2SD638  
2SD639  
2SD638  
30  
VCBO  
V
3
2
1
base voltage  
Collector to  
60  
25  
VCEO  
V
emitter voltage 2SD639  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
50  
2.5  
2.5  
VEBO  
ICP  
IC  
7
V
A
1:Base  
1
0.5  
2:Collector  
3:Emitter  
EIAJ:SC–71  
M Type Mold Package  
A
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
600  
mW  
˚C  
˚C  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
0.1  
1
Unit  
µA  
VCB = 20V, IE = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = 20V, IB = 0  
µA  
Collector to base  
voltage  
2SD638  
2SD639  
30  
60  
25  
50  
7
VCBO  
IC = 10µA, IE = 0  
V
Collector to emitter 2SD638  
VCEO  
VEBO  
IC = 2mA, IB = 0  
V
V
voltage  
2SD639  
Emitter to base voltage  
IE = 10µA, IC = 0  
*1  
hFE1  
hFE2  
VCE = 10V, IC = 10mA  
VCE = 10V, IC = 500mA*2  
IC = 300mA, IB = 30mA  
85  
40  
160  
90  
340  
0.6  
15  
Forward current transfer ratio  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
0.35  
200  
6
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
VCB = 10V, IE = –50mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
*2 Pulse measurement  
*1  
h
Rank classification  
FE1  
Rank  
hFE1  
Q
R
S
85 ~ 170  
120 ~ 240  
170 ~ 340  
1
12

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与2SD638Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD638R PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, M-A1, 3
2SD638S PANASONIC

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 		暂无描述
2SD639 PANASONIC

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 		Silicon PNP epitaxial planer type(For low-power general amplification)
2SD639Q PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, M-A1, 3
2SD639R PANASONIC

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