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2SD641

更新时间: 2024-01-23 15:40:36
品牌 Logo 应用领域
SAVANTIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 109K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2SD641 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.77Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):15 A
集电极-发射极最大电压:400 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4 MHzBase Number Matches:1

2SD641 数据手册

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SavantIC Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
2SD641  
DESCRIPTION  
·With TO-3 package  
·High voltage ,high speed  
APPLICATIONS  
·Converters  
·Inverters  
·Switching regulators  
·Motor controls  
PINNING (See Fig.2)  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
2
Emitter  
Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol  
3
Collector  
Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
CONDITIONS  
MAX  
600  
400  
7
UNIT  
V
Open emitter  
Open base  
V
Open collector  
V
15  
A
ICM  
Collector current-Peak  
Base current  
30  
A
IB  
6
A
PT  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
TC=25ꢀ  
150  
200  
-65~200  
W
Tj  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
VALUE  
UNIT  
Rth j-mb  
Thermal resistance from junction to mounting base  
1.0  
/W  

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