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2SD640

更新时间： 2024-01-27 14:15:10

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2页	193K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SD640 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

2SD640 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD640

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 400V (Min)

·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.5V (Max.)@ I_C= 5A

APPLICATIONS

·High voltage switching applications.

·High power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

MAX

600

400

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

100

150

-65~150

℃

T_j

Junction Temperature

T_stg

Storage Temperature Range

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SD647A	TOSHIBA	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MEGA TYPE	获取价格
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