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2SD655

更新时间: 2024-09-22 06:24:35
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
6页 60K
描述
Silicon NPN Epitaxial

2SD655 技术参数

生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-92
包装说明:TO-92(1), 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.43
最大集电极电流 (IC):0.7 A集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):250
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
Base Number Matches:1

2SD655 数据手册

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2SD655  
Silicon NPN Epitaxial  
REJ03G0768-0200  
(Previous ADE-208-1136)  
Rev.2.00  
Aug.10.2005  
Application  
Low frequency power amplifier, Muting  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003DA-A  
(Package name: TO-92 (1))  
1. Emitter  
2. Collector  
3. Base  
3
2
1
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
30  
15  
V
5
0.7  
V
A
Collector peak current  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
iC(peak)  
PC  
1.0  
A
500  
mW  
°C  
°C  
Tj  
150  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5  

2SD655 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC2230 TOSHIBA

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD655D ETC

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2SD655DRF HITACHI

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暂无描述
2SD655DRF RENESAS

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暂无描述
2SD655DRR HITACHI

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SD655DRR RENESAS

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700mA, 15V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN
2SD655DTZ-E RENESAS

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Silicon NPN Epitaxial
2SD655E ETC

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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-92
2SD655-E RENESAS

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SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD655E-E RENESAS

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