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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.23 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD655E-E | RENESAS |
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暂无描述 |
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| 2SD655ERF | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2SD655ERR | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2SD655ETZ-E | RENESAS |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD655F | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-92 |
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| 2SD655-F | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SD655F-E | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SD655FRF | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2SD655FRR | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SD655FTZ-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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