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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.43 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 15 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD661 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency and low-noise amplification) |
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| 2SD661A | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency and low-noise amplification) |
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| 2SD661AR | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| 2SD661AS | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| 2SD661AT | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| 2SD661S | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
|
| 2SD661T | PANASONIC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SD662 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planer type(For high breakdown voltage general amplification) |
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| 2SD662B | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planer type(For high breakdown voltage general amplification) |
|
| 2SD662BP | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, M-A1, |
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