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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.62 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.9 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 标称过渡频率 (fT)： | 140 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD666ARF | HITACHI |
获取价格 |
50mA, 100V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD666ARR | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD666ATZ | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD666-B | RENESAS |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD666-C | RENESAS |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD666-C | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SD666-D | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), NPN |
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| 2SD666RF | HITACHI |
获取价格 |
50mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD666RR | HITACHI |
获取价格 |
50 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD666TZ | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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