2SD655ETZ-E

更新时间： 2024-11-25 06:24:35

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管放大器
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6页	60K
描述
Silicon NPN Epitaxial

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2SD655ETZ-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	SC-43A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.41	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.7 A	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	400
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

2SD655ETZ-E 数据手册

2SD655

Silicon NPN Epitaxial

REJ03G0768-0200

(Previous ADE-208-1136)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

Low frequency power amplifier, Muting

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DA-A

(Package name: TO-92 (1))

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

0.7

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

i_C(peak)

P_C

1.0

500

°C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD655F	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 700MA I(C) \| TO-92
2SD655-F	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SD655F-E	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SD655FRF	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
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2SD655FTZ-E	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial
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