2SD655-D

更新时间： 2024-02-02 05:16:10

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SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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2SD655-D 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.43	最大集电极电流 (IC)：	0.7 A
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	250	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SD655-D 数据手册

2SD655

Silicon NPN Epitaxial

REJ03G0768-0200

(Previous ADE-208-1136)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

Low frequency power amplifier, Muting

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DA-A

(Package name: TO-92 (1))

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

0.7

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

i_C(peak)

P_C

1.0

500

°C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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