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2SD648A

更新时间: 2024-01-23 03:11:00
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
3页 99K
描述
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MEGA TYPE

2SD648A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):400 A
集电极-发射极最大电压:300 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:O-CEDB-N2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:END
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SD648A 数据手册

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