2SD649

更新时间： 2024-02-25 09:16:44

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	191K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SD649 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	4	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	125 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	22 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

2SD649 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD649

DESCRIPTION

·High Breakdown Voltage-

: V_CBO= 1500V (Min)

·High Reliability

APPLICATIONS

·Designed for line-operated horizontal deflection output

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CES

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

1500

UNIT

Collector Current- Continuous

Collector Current-Pulse

I_CP

Collector Power Dissipation

@ T_C≤90℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

130

-65~130

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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与2SD649相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD655	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial
2SD655	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Epitaxial
2SD655	SWST	获取价格	小信号晶体管
2SD655	FOSHAN	获取价格	TO-92
2SD655D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 700MA I(C) \| TO-92
2SD655-D	RENESAS	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD655DRF	HITACHI	获取价格	暂无描述
2SD655DRF	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SD655DRR	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SD655DRR	RENESAS	获取价格	700mA, 15V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN