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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD648A | TOSHIBA |
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SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MEGA TYPE |
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| 2SD649 | PANASONIC |
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Si NPN Triple Diffused Junction Mesa |
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| 2SD649 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SD655 | RENESAS |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD655 | HITACHI |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD655 | SWST |
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小信号晶体管 |
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| 2SD655 | FOSHAN |
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TO-92 |
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| 2SD655D | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SD655-D | RENESAS |
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SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
|
| 2SD655DRF | HITACHI |
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暂无描述 |
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